集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 1.5GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 82~180 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | <500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | High-Frequency Amplifier Transistor Features 1) High transition frequency. (Typ. fT= 1.5GHz) 2) Small rbbí⋅Cc and high gain. (Typ. 4ps) 3) Small NF. |
| 描述与应用 | 高频晶体管放大器 特点 1）高转换频率。 （典型值英尺=1.5GHz的） 2）小rbbí⋅CC和高增益。 （典型值4PS） 3）小NF。 |