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Inventory:21351 Min Order：10
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  • Model：2SD999
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+ROHS855
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：CK
  • Package：SOT-89

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		25V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		130MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		200~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		210mV/0.21V
耗散功率Pc
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsNPN Silicon epitaxial transistor power Mini Mold low collector saturation voltage ：Vce<0.4v excellent DC current gain linearity ：hFE =140 complement to PNP type 2SB798
描述与应用NPN硅外延晶体管电源小型模具 低集电极饱和电压VCE<0.4V 优良的直流电流增益线性度：HFE= 140 补充PNP型2SB798

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD999
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