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Inventory:100 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：2SJ146
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4D
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		150Ω @-10mA,-5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.5--3.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon P-Channel MOS FET For switching Features High-speed switching Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用硅P沟道MOS FET 用于开关 特性 高速开关 迷你型包装，使设备小型化和自动 通过插入磁带/盒包装

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ146
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