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  • Model：2SK1151S
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K1151
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage450V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.5Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2-3V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 无二次击穿 适用于开关稳压器和DC-DC转换

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1151S
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