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Inventory:300 Min Order：10
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  • Model：2SK1954
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K1954
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage180V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.52Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low on-state resistance Low Ciss Built-in G-S gate protecion diode High avalanche capability ratings
描述与应用MOS场效应功率晶体管 N沟道功率MOS FET工业用途 特性 MOS场效应功率晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 低通态电阻 低Ciss 内置G-S栅的法律保护二极管 高雪崩能力评级

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1954
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