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Inventory:100 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：2SK665
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：30
  • Package：SOT-323/SC-70

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance50Ω/Ohm @20mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching High-speed switching Small drive current owing to high input inpedance High electrostatic breakdown voltage
描述与应用硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 高速开关 小的驱动电流，由于高输入阻抗方向 静电击穿电压高

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK665
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