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Inventory:7000 Min Order：10
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  • Model：2SK853A
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+NOPB2360
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K24
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		50v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -50v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.5~12ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.25~-4.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET AF&RF AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR The 2SK853, 2SK853A are designed for hybrid IC which is designed for use in analog-switch, variable-resistor, RF amplifier and AF amplifier
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 AF＆RF放大器 N-沟道硅结型场效应晶体管 2SK8532SK853A是专为混合IC，其目的是使用模拟开关，可变电阻器，RF放大器和AF放大器

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK853A
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