Please log in first
Home
Cart0
Inventory:2500 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：BF1005R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：MZ
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 3V
最大漏极电流Id Drain Current 25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance  
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 8-12/8-13V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz • Operating voltage 5V • Integrated biasing network
描述与应用 硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声，高增益控制 高达1 GHz的输入级 •工作电压5V •集成偏置网络

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BF1005R
*Title：
Message：
*Code：