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  • Model：BFG235
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BFG235
  • Package：SOT-223

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		25V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		15V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		300mA/0.3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		4Ghz~5.5Ghz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		50~250
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsNPN Silicon RF Transistor • For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications systems up to 2 GHz at collector currents from 120mA to 250mA • Power amplifiers for DECT and PCN systems • Integrated emitter ballast resistor • fT = 5.5 GHz
描述与应用NPN硅RF晶体管 •对于低-失真的的的宽带输出放大器中   天线和电信中的阶段   高达在集电极电流从至2 GHz的系统中   120毫安到250mA •DECT和PCN系统上的的电源放大器，适用于 •集成的发射极镇流电阻器 •FT =5.5 GHz的

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFG235
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