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Inventory:36000 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：BFR92ARGELB
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：P5
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		15V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		30mA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		6Ghz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		65~150
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsSilicon NPN Planar RF Transistor Features • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications Wide band amplifier up to GHz range.
描述与应用硅NPN平面RF晶体管 特点  •高功率增益  •低噪声系数  •高转换频率  •无铅（Pb）组件  •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC 应用 宽频带放大器高达GHz范围内。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFR92ARGELB
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