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Inventory:1174 Min Order：10
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  • Model：FDC604P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07NOPB 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：604
  • Package：SOT-163/SOT23-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-5.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		60mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -4A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4~-1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.6W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8V Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage Power Trench process. It has been optimized for battery power management applications. Applications • DC-DC converters • Load switch • Power management Features • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
描述与应用P沟道1.8V额定功率沟道MOSFET 概述 此P沟道MOSFET的1.8V指定使用飞兆半导体的低电压功率沟槽过程。它已被优化的电池电源管理应用。 应用 •DC-DC转换器 •负荷开关 •电源管理 特点 •开关速度快 •高性能沟道技术极低的RDS（ON）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDC604P
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