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Inventory:350 Min Order：10
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  • Model：FDD6670A
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：FDD6670A
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current6.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.010Ω/Ohm @1.3A,
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation7W
Description & Applications• 66 A, 30 V. R DS(on)= 0.008 Ω @ V GS= 10 V RDS(on)= 0.010 Ω @ V GS = 4.5 V. • Low gate charge (35nC typical). • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDS(on)
描述与应用•66 A，30 V. R DS（ON）= 0.008Ω@ V GS = 10 V RDS（ON）= 0.010Ω@ V GS= 4.5 V。 •低栅极电荷（35NC典型）。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极 低RDS（on）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDD6670A
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