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Inventory:348 Min Order：10
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  • Model：NTD23N03RT4
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：N03
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.045Ω/Ohm @6A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation22.3W
Description & ApplicationsPower MOSFET 23 A, 25 V, N−Channel DPAK N-Channel DPAK Features • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance • Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss • Low Ciss to Minimize Driver Loss • Low Gate Charge • Optimized for High Side Switching Requirements in High-Ef ficiency DC-DC Converters
描述与应用功率MOSFET 23 A，25 V，N沟道DPAK •的平面HD3e过程快速开关性能 •低的RDS（on） 减少传导损耗 •低西塞 最小化驱动器损失 •低栅极电荷 •优化高侧开关的要求 高效率的DC-DC转换器

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NTD23N03RT4
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