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Inventory:1200 Min Order：10
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  • Model：NTHD5904NT1G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+ 04+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D3X
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		3.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		105mΩ@ VGS =2.5V, ID =2.3A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.13W
Description & ApplicationsPower MOSFET Features • Low RDS(on) and Fast Switching Speed • Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP−6. Ideal Device for Applications Where Board Space is at a Premium. • ChipFET Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities. Ideal for Applications Where Heat Transfer is Required. • Pb−Free Packages are Available Applications • DC−DC Buck or Boost Converters • Low Side Switching • Optimized for Battery and Low Side Switching Applications in Computing and Portable Equipment
描述与应用功率MOSFET 特点 •低的RDS（on）  和快速开关速度 •无铅ChipFET包装40％更小的体积比TSOP-6。应用电路板空间是一个溢价的理想设备。 •ChipFET包装具有优良的散热能力。需要传热应用的理想选择。 •无铅包可用 应用 •DC-DC降压或升压转换器 •低边开关 •优化计算和便携设备的电池和低侧开关中的应用

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NTHD5904NT1G
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