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  • Model：NTHS5441
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：A3L
  • Package：1206-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3.9A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		83mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -3.1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6~-1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.3W
Description & ApplicationsPower MOSFET P-Channel Chip FET Features • Low RDS(on) • Higher Efficiency Extending Battery Life • Logic Level Gate Drive • Miniature ChipFET Surface Mount Package Applications • Power Management in Portable and Battery–Powered Products; i.e.,Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
描述与应用功率MOSFET的P-通道芯片FET 特点 •低的RDS（on） •更高的效率延长电池寿命 •逻辑电平栅极驱动器 •微型ChipFET表面贴装封装 应用 •电源管理在便携式和电池供电的产品，也就是说，蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NTHS5441
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