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Inventory:76000 Min Order：10
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  • Model：PBSS2540F
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：2C
  • Package：SOT-523

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		40V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		500mA/0.5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		450MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		100
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		50mV~200mV
耗散功率Pc
Power Dissipation		250mW/0.25W
Description & Applications40 V low VCEsat NPN transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved thermal behaviour due to flat leads • Enhanced performance over SOT23 general purpose transistors. APPLICATIONS • General purpose switching and muting • Low frequency driver circuits • Audio frequency general purpose amplifier applications • Battery driven equipment (mobile phones, video cameras, hand-held devices). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SC-89 (SOT490) plasticpackage.
描述与应用40 V低VCEsat NPN晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流能力 •改进的热行为由于平坦的线索， •增强的性能超过SOT23通用 晶体管。 应用 •通用开关和静音 •低频驱动电路 •音频通用放大器应用 •电池驱动设备（移动电话，视频 相机，手持设备）。 说明 NPN低VCEsat   在SC-89（SOT490）塑料晶体管包。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PBSS2540F
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