集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 150MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 900 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~500mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 450mW/0.45W |
| Description & Applications | 40 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capabilities. • Improved device reliability due to reduced heat generation. APPLICATIONS • General purpose switching and muting • LCD backlighting • Supply line switching circuits • Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. |
| 描述与应用 | 40 V，1 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流的能力。 •提高设备的可靠性，由于减少热 的一代。 应用 •通用开关和静音 •LCD背光 •供电线路开关电路 •电池驱动设备（移动电话，视频 相机和手持设备）。 说明 NPN低VCEsat 晶体管在SOT23塑料包装。 |