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  • Model：SI1499DH-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08NOPB 08NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BI
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-8V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		5V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1.6A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.0622Ω @-2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.35--0.8V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.78W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFET • Ultra-Low On-Resistance
描述与应用功率MOSFET •超低导通电阻

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1499DH-T1-E3
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