Please log in first
Home
Cart0
Inventory:3800 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SI3905DV-T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：5
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-8V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		265mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.15W
Description & ApplicationsDual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
描述与应用双P沟道 8-V（D-S）的MOSFET

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3905DV-T1
*Title：
Message：
*Code：