Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SSM3K01T
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KW
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current3.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.12Ω/Ohm @1.6A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications • Small package • Low on resistance : Ron = 120 mΩ (max) (VGS = 4 V) : Ron = 150 mΩ (max) (VGS = 2.5 V) • Low gate threshold voltage: Vth = 0.6~1.1 V (VDS = 3 V, ID = 0.1 mA)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =120MΩ（最大（VGS=4 V） 罗恩=150MΩ（最大）VGS=2.5 V） •低栅极阈值电压VTH =0.6〜1.1 V（VDS= 3 V，ID= 0.1毫安）

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM3K01T
*Title：
Message：
*Code：