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Inventory:1119 Min Order：10
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  • Model：SSM6E01TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 06+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KTA
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V/20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V/10V
最大漏极电流Id
Drain Current		-10A/50mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		240mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -500mA /1Ω@ VGS = 2.5V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4~-1.1V/0.7~1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Multi-Chip Device Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS II) + N-Channel MOS Type (Planer) Load Switch Applications P-channel MOSFET and N-channel MOSFET incorporated into one package. Low power dissipation due to P-channel MOSFET that features low RDS (ON) and low-voltage operation
描述与应用TOSHIBA多芯片设备 硅P沟道MOS类型（U-MOS II）+ N沟道MOS类型（平面） 负载开关应用中 P沟道MOSFET和N沟道MOSFET的纳入一包装。 低功耗由于P沟道MOSFET，具有低RDS（ON）和低电压操作

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6E01TU
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