Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1520 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SSM6J21TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06nopb 06+NOPB1K
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KPA
  • Package：SOT-363/SC70-6/US6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		88mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1.5A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.5~-1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ) High Current Switching Applications • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low on resistance:Ron = 88 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOSⅢ） 高电流开关应用 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻:Ron = 88 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6J21TU
*Title：
Message：
*Code：