Please log in first
Home
Cart0
Inventory:4500 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SSM6J50TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB 05+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KPB
  • Package：SOT-363/SC70-6/US6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		64mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -1.5A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.5~-1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ) ○ High Current Switching Applications • Compact package suitable for high-density mounting • Low on-resistance: Ron = 205mΩ (max) (@VGS = -2.0 V) Ron = 100mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) Ron = 64mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOSⅢ） ○高电流开关应用 •紧凑型封装，适用于高密度安装 •低导通电阻RON =205mΩ（最大）（@ VGS=-2.0 V） RON=100MΩ（最大）（@ VGS= -2.5 V） RON=64mΩ（最大）（@ VGS= -4.5 V）

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6J50TU
*Title：
Message：
*Code：