最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-200V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.5A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
1.6~2.0Ω @VGS=−10V, ID=−1.5A |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
Vth =−1.5to−3.5V (VDS =−10V,ID =−1 mA) |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (π-MOSV). Switching Applications. Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications. *Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6 Ω (typ.). * High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.0 S (typ.). * Low leakage current: IDSS = −100 μA (max) (VDS = −200 V). * Enhancement model: Vth = −1.5 to −3.5 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA). |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（π-MOSV）。 切换应用程序。 斩波稳压器，DC/ DC转换器 电机驱动应用。 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 1.6Ω（典型值）。 *较强的正向转移导纳：YFS|=2.0 S（典型值）。 *低漏电流IDSS=-100μA（最大值）（VDS= -200 V）。 *增强模式：VTH=-1.5〜-3.5 V（VDS= -10 V，ID=-1毫安）。 |