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2SA1562 PNP transistors（BJT） -30V -1.2A 130MHz 500~1200 -100mV/-0.1V TO-252/DPAK marking A1562 AFamplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −25V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -1.2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 130MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 500~1200 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -100mV/-0.1V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | High-hFE AF Amplifier Applications Applications · AF amplifier, various drivers. Features · Adoption of MBIT process. · High DC current gain. · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High VEBO. |
| 描述与应用 | 高HFE AF放大器应用 应用 ·AF放大器，各种驱动程序。 特点 ·通过MBIT过程。 ·高直流电流增益。 ·大电流容量。 ·低集电极 - 发射极饱和电压。 ·高VEBO。 |
