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2SA1952-Q PNP transistors（BJT） -100V -5A 80MHz 120~270 -300mV/-0.3V TO-252/DPAK marking A1952 highspeed switch
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −60V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 80MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | High-speed Switching Transistor Features 1) High speed switching. (tf : Typ. 0.15 µs at IC = −3A) 2) Low VCE(sat). (Typ. −0.2V at IC / IB = −3 / −0.15A) 3) Wide SOA. (safe operating area) 4) Complements the 2SC5103 / 2SC5525. |
| 描述与应用 | 高速开关晶体管 特点 1）高速开关。 （TF：平均值0.15μs在IC=-3A） 2）低VCE（sat）的。 （平均值0.2V IC / IB= -3/-0.15A） 3）宽SOA。 （安全工作区） 4）补充/2SC5525，2SC5103 |
