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2SA2137 PNP transistors（BJT） -1A 120~270 SOT-23/SMT3 marking VMQ 强dischargevoltage/highspeed switch
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −60V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar type Strong Discharge Voltage/ High Speed Switching Transistors Series Features Low RDs(on) High ESD capability High power package Thin package |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面型 强放电电压/高速开关晶体管系列 特点 低RDS（ON） 高ESD能力 高功率封装 薄型封装 |
