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2SC5383 NPN Transistors(BJT) 50V 200mA/0.2A 200MHz 250~500 SOT-523/SC75A marking LF low-frequency amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 200mA/0.2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 250~500 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(Ultra super mini type) FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=0.3V max（@Ic=100mA,IB=10mA） Excellent linearity of DC forward gain. Ultra super mini package for easy mounting APPLICATION Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application. |
| 描述与应用 | 低频率AMPLIFY应用 硅NPN外延型（超超超迷你型） 特点 体积小集电极到发射极饱和电压。 VCE（sat）的=0.3V最大（在@ Ic=100MA，IB=10毫安） 的DC的前锋的出色的线性度有所收获。 超超超迷你封装用于轻松安装， 应用 混合集成电路，小型机低频电压放大应用程序。 |
