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2SC5566 NPN Transistors(BJT) 80V 4A 400MHz 200~560 85mV SOT-89/PCP marking FC DC/DCswitch fast switch
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 4A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 400MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 200~560 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 85mV |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC/DC Converter Applications Applications · Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. Features · Adoption of FBET and MBIT processes. · High current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. · High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 DC/ DC转换器应用 应用 ·继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 特点 ·领养的FBET兆位过程。 ·高电流容量。 ·低集电极 - 发射极饱和电压。 ·高速开关。 ·超小包装便于在终端的小型化 产品。 ·高允许功耗。 |
