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2SD1766 NPN Transistors(BJT) 40V 2A 100MHz 180~390 500mV/0.5V SOT-89/SC-62/MPT3 marking DBR
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications | Features * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |
