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2SD1782K NPN Transistors(BJT) 80V 500mA/0.5A 180MHz 180~390 200mV/0.2V SOT-23/SC-59/SMT3 marking AJR
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications | Features * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA) * High VCEO, VCEO = 80V Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 特点 *低VCE（sat）的。 VCE（饱和）=0.2V （IC / IB= 0.5A/50MA） *高VCEO VCEO=80V 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |
