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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SJ574BP MOSFET P-Channel -30V 300mA/0.3A 1.1ohm SOT-23 marking BP low on-resistance ultra high-speed switch 4V drive
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | -0.3A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance | 1.1Ω @-150mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -1.3--2.3V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 400mW/0.4W |
| Description & Applications | Features •Low on-resistance RDS = 1.1 typ. (VGS= -10 V , ID = -150 mA) RDS= 2.2 typ. (VGS = -4 V , ID = -150 mA) •4 V gate drive device. •Small package (MPAK) |
| 描述与应用 | •低导通电阻 RDS=1.1（典型值）。 （VGS=-10V，ID= -150毫安） RDS=2.2（典型值）。 （VGS=-4 V，ID= -150毫安） •4 V栅极驱动装置。 •小型封装（MPAK） |
