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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SK2113 MOSFET N-Channel 3.5V 60mA SOT-343/CMPAK-4/SC70-4 marking YY ultra RF low noise
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 3.5V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 3V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 60mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.3-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | UHF low noise amplifier Features UHF low noise amplifier HEMT structure Excellent low noise characteristics NF=0.8dB typ (f=900MHz) • High gain Ga=18dB typ (f=900MHz) • Small package (CMPAK-4) |
| 描述与应用 | 超高频低噪声放大器 特性 超高频低噪声放大器 HEMT结构 优越的低噪点特性 NF=0.8分贝典型值（F =900MHz） •高增益 GA=18分贝典型值（F =900MHz） •小包装（CMPAK - 4） |
