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3SK309 MESFET-N channel 6V 40mA -0.2V -- -1.5V SOT-323 marking XV RF application/low noise
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 6V |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage | -4V |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current | 40mA |
| 关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage | -0.2V -- -1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | GaAs N Channel Dual Gate MES FET. UHF RF Amplifier. Features: . Capable of low voltage operation (VDS = 1.5 to 3 V) . Excellent low noise characteristics (NF = 1.25 dB typ. at f = 900 MHz) . High power gain (PG = 21.0 dB typ. at f = 900 MHz) |
| 描述与应用 | 砷化镓N沟道双栅MES FET。 UHF射频放大器。 特点： .能低电压工作（VDS= 1.5到3 V） .优越的低噪点特性（NF= 1.25 dB（典型值），在f =900兆赫） .高功率增益（PG=21.0 dB（典型值），在f =900兆赫） |
