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BCW68HTA PNP transistors（BJT） -60V -800mA/-0.8A 100MHz 250~630 -700mV/-0.7V SOT-23 marking DH
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -800mA/-0.8A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 250~630 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 330mW/0.33W |
| Description & Applications | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 描述与应用 | SOT23 PNP硅平面 中等功率晶体管 |
