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HN2E01F-B Complex Bipolar Transistor+doides 150mA 80V SOT-163/SM6/SOT-26 marking 12B
| 三极管BJT类型 TYPE | NPN 2SC4666 |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 150mA |
| 三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 600~3600 |
| 三极管BJT管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.12~0.25V |
| 二极管DIODE类型 TYPE | 高速开关二极管 High Speed Switching 1SS352 |
| 二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage | 80V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current | 100mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf) | 980mV~1.2V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 300mW |
| Description & Applications | Features • TOSHIBA MULTI CHIP DISCRETE DEVICE • Super High Speed Switching Application Audio Frequency Amplifier Application General Switching Application Q1 • Low Forward Voltage Drop : VF(3)=0.98V(typ.) • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(typ.) • Low Total Capacitance : CT=0.5pF(typ.) Q2 • High DC Current Gain : hFE=600~3600 • High Voltage : VCEO=50V • High Collector Current : IC=150mA(max.) • Q1 (Diode) : 1SS352 Equivalent • Q2 (Transistor) : 2SC4666 Equivalent |
| 描述与应用 | 特点 •东芝多芯片分立器件 •超高速开关应用音频放大器应用通用开关应用 Q1 •低正向压降VF（3）=0.98V（典型值） •快速反向恢复时间：TRR =1.6ns（典型值） •低总电容CT值为0.5pF（典型值） Q2 •高DC电流增益：HFE=600〜3600 •高电压：VCEO= 50V •高集电极电流IC=电流150mA（最大） •Q1：1SS352当量（二极管） •Q2（晶体管）：相当于2SC4666 |
