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PMBT6429 NPN Transistors(BJT) 55V 100mA/0.1A 700MHz 1250 200mV~600mV SOT-23/SC-59 marking W1L generalswitch and amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 55V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 45V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 700MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 1250 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~600mV |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 50 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a SOT23 plastic package. |
| 描述与应用 | 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大50 V）。 应用 •通用开关和放大 •专业的电话和通信设备。 说明 NPN晶体管在SOT23塑料包装。 |
