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RT1A3906 PNP transistors（BJT） -60V -200mA/-0.2A 250MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-23 marking 2W low-frequency voltageamplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −40V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~300 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -400mV/-0.4V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type) FEATURE Excellent linearity of DC forward gain. Super mini package for easy mounting Small collector to emitter saturation voltage. APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application. |
| 描述与应用 | 对于低频放大应用 硅PNP外延型（迷你型）， 特写 直流前锋出色的线性度获得。 超小型封装，便于安装 小集电极到发射极饱和电压。 应用 对于混合集成电路，小型机低频电压放大应用。 |
