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2SJ586 MOSFET P-Channel -20V -100mA/0.1A 4.1ohm SOT-323 marking CP low on-resistance high-speed switch
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | -0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance | 4.1Ω @-50mA,-4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.8--1.8V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | • Low on-resistance RDS = 4.1 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) RDS = 6.0 Ω typ. (VGS= -2.5 V , ID = -50 mA) • 2.5 V gate drive device. • Small package (CMPAK) |
| 描述与应用 | •低导通电阻 RDS= 4.1Ω（典型值）。 （VGS=-4 V，ID=-50毫安） RDS=6.0Ω（典型值）。 （VGS= -2.5 V，ID=-50毫安） •2.5 V门驱动装置。 •小型封装（CMPAK） |
