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BC859B PNP transistors（BJT） -30V -100mA/-0.1A 100MHz 420~800 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking 4B low noise
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | −30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −30V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 420~800 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -250mV/-0.25V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise input stages of audio frequency equipment. |
| 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大45 V）。 应用 •低噪声输入级的音频设备。 |
