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SSM6J212FE MOSFET P-Channel -20V -4A 0.0353ohm SOT-563 marking PQ power managementswitch 1.5V drive low on-resistance
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | -4A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance | 0.0353Ω @-3A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.3--1.0V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Power Management Switch Applications •1.5-V drive •Low ON-resistance: RDS(ON) = 94.0 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON)= 65.4 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 49.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON)= 40.7 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) |
| 描述与应用 | 电源管理开关应用 •1.5-V驱动器 •低导通电阻RDS（ON）=94.0MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V） RDS（ON）=65.4MΩ（最大（@ VGS=-1.8 V） RDS（ON）=49.0MΩ（最大（@ VGS=-2.5 V） RDS（ON）=40.7毫欧（最大值）（@ VGS=-4.5 V） |
