集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 90MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | features * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |