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Inventory:1750 Min Order：10
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  • Model：2SD1766 T100P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：02+ 03+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DBP
  • Package：SOT-89/SC-62/MPT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 32V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 2A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 100MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 82~180
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 500mV/0.5V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 500mW/0.5W
Description & Applications Features * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用 特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅晶体管

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD1766 T100P
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