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  • Model：2SK1103-Q
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4LQ
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		65v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -65v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		1~3ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -1.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •For switching •Low ON-resistance •Low-noise characteristics
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于开关 •低导通电阻 •低噪声特性

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1103-Q
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