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Inventory:12100 Min Order：10
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  • Model：2SK1826
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+NOPB2600
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KH
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance20Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION ANALOG SWITCHING APPLICATION Features Silicon N-Channel MOS FET High speed switching application Analog switching application 4V gate drive Low threshold voltage High speed Enhancement-mode small package
描述与应用东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 4V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1826
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