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Inventory:3000 Min Order：10
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  • Model：2SK1839
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：JJ
  • Package：SOT-323/SC-70

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance15Ω/Ohm @10mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.3-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon Junction FETs (Small Signal) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For infrared sensor N-Channel Enhancement Silicon MOSFET Analog Switch Applications Features N-Channel Enhancement Silicon MOSFET Analog Switch Applications Ultrasmall-sized package permitting 2SK1839- applied sets to be made small and slim. LargeYfs. Enhancement type. Low ON resistance.
描述与应用硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道结型场效应管 在低频率的阻抗变换 红外传感器 N沟道增强硅MOSFET 模拟开关应用 特性 N沟道增强型硅MOSFET 模拟开关应用 超小尺寸封装允许2SK1839 应用设置作出小巧玲珑。 大Yfs。 增强型。 低导通电阻。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1839
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