Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1700 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK1842-P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：EB.P
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage40V
最大漏极电流Id Drain Current1mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.3-3V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsN-CHANNEL MOS SILICON FET Very high speed switching application Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching application Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用N沟道MOS硅场效应管 非常高速开关应用 特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1842-P
*Title：
Message：
*Code：