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  • Model：2SK1918STR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K1918
  • Package：TO-263

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.03Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.25V
耗散功率Pd Power Dissipation50W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Avalanche ratings
描述与应用硅N沟道MOS FET 应用 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4 V栅极驱动器用5V电源驱动 适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器 雪崩等级

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1918STR
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