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  • Model：2sk1950
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：700
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：k1950
  • Package：TO-252/TP-FA

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation10W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 2.5V gate drive device can be driven from 3 V source Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Avalanche ratings
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 2.5 V栅极驱动器用3V电源驱动 适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器 雪崩等级

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2sk1950
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