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Inventory:34 Min Order：10
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  • Model：FDS9435A
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：FDS9435A
  • Package：SO8/SOIC8/SOP8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-25V
最大漏极电流Id
Drain Current		-5.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		80mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -4A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1~-3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.5W
Description & Applications30V P-Channel Power Trench MOSFET General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). Applications • Power management • Load switch • Battery protection Features • Low gate charge • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability
描述与应用30V P沟道功率沟槽MOSFET 概述 P沟道MOSFET是一种坚固的门版本飞兆半导体先进的功率沟槽过程。它已被优化需要给驱动器的额定电压（4.5V - 25V）的范围广泛的电源管理应用。 应用 •电源管理 •负荷开关 •电池保护 特点 •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •高功率和电流处理能力

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDS9435A
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